ОАЭ2-С-Р Стендовый ОАЭ2-С-Р Ручной
Стендовый Ручной
ОАЭ2-С-Р: 32базовых эксперимента ОАЭ2-С-Р: 2 рабочих места
32 работы Для 2 чел.

ГАРАНТИЯ ДО 5 ЛЕТ

+ Постгарантийная поддержка от завода-изготовителя на весь срок службы стенда

ПРОЧНАЯ ЗАЩИТА

Стенд выдерживает неумелое обращение, перегрузки, короткие замыкания

БЫСТРЫЙ СТАРТ

Шаг за шагом от начала до конца опыта вас проведет подробное руководство

ГИБКОЕ РЕШЕНИЕ

Под ваши задачи расширим или сократим набор сменных модулей ГалСен®

Отличительной особенностью комплекта является наличие в нем объектов исследования в виде отдельных готовых функциональных плат. Для ускорения проведения практикума функциональные платы представляют собой частично или уже полностью собранные электрические цепи, соответствующие учебным задачам. Предусмотрена гибкая комплектация под нужды заказчика - возможно приобретение только тех наборов, которые необходимы вам.

Каждый тематический раздел лабораторных работ выполнен в виде отдельного набора функциональных плат:

НАБОР №1 (6 плат)

1. Характеристики диодов
1.1. Диоды различных типов
1.2. Параметрический стабилизатор напряжения
1.3. Стабилитрон
1.4. Светодиод
2. Характеристики транзисторов
2.1. Биполярный транзистор
2.2. Выбор рабочей точки транзистора
2.3. Полевой транзистор
2.4. МОП транзистор
3. Основные характеристики тиристоров
4. Резонансная цепь с варикапом
5. Параметры и характеристики оптопар
5.1. Резисторная оптопара
5.2. Диодная оптопара
5.3. Транзисторная оптопара
5.4. Тиристорная оптопара
6. Усилительные каскады на биполярных транзисторах
6.1. С общим эмиттером
6.2. С общим коллектором
6.3. С общей базой
7. Усилительные каскады на полевых транзисторах
7.1. С общим истоком
7.2. С общим стоком
7.3. С общим затвором


НАБОР №2 (6 плат)

1. Двухкаскадный транзиторный усилитель
2. Двухтактный усилитель мощности
3. Частотные характеристики операционного усилителя
4. Основные схемы включения операционного усилителя
4.1. Инвертирующий усилитель
4.2. Неинвертирующий усилитель
4.3. Дифференциальный усилитель
5. Схемы на операционном усилителе
5.1. Суммирование
5.2. Интегрирование
5.3. Дифференцирование
6. Активные RC-фильтры
6.1. Фильтр нижних частот (ФНЧ) Баттерворта
6.2. Фильтр высоких частот (ФВЧ) Баттерворта
6.3. Фильтр нижних частот (ФНЧ) Чебышева
6.4. Фильтр высоких частот (ФВЧ) Чебышева
7. Примеры применения операционного усилителя
7.1. Полосовой RC-фильтр
7.2. Логарифмический преобразователь


НАБОР №3 (5 плат)

1. Генератор синусоидальных колебаний 
2. Широтно-импульсный преобразователь (ШИП)
3. Триггер Шмидта на операционном усилителе и его применения
3.1. Триггер Шмидта и автоколебательный мультивибратор
3.2. Ждущий мультивибратор
4. RS-триггер на транзисторах и его применениям
4.1. Изучение RS-триггера
4.2. Мультивибратор
4.3. Одновибратор
5. Применения компаратора
5.1. Двухпороговый компаратор
5.2. Автоколебательный мультивибратор
5.3. Широтно-импульсный модулятор (ШИМ)
6. Применения таймера


НАБОР №4 (5 плат)

1. Выпрямители переменного тока
1.1. Однофазные схемы выпрямления
1.2. Трехфазная мостовая схема выпрямления
2. Управляемые выпрямители и регуляторы
2.1. Тиристор с системой управления
2.2. Однополупериодный выпрямитель
2.3. Регулятор выпрямленного напряжения
2.4. Регулятор переменного напряжения
3. Компенсационные стабилизаторы
4. Интегральные стабилизаторы напряжения и тока
4.1. Выпрямитель
4.2. Стабилизатор напряжения
4.3. Стабилизатор тока
5. Импульсный преобразователь-стабилизатор
5.1. Повышающий
5.2. Понижающий


ПЕРЕЧЕНЬ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ

1.Полупроводниковые приборы.
1.1. Исследование характеристик полупроводниковых диодов на постоянном и переменном токах.
1.2. Определение основных характеристик стабилитрона и исследование параметрического стабилизатора напряжения.
1.3. Экспериментальное снятие вольтамперной характеристики светодиода.
1.4. Исследование диода с переменной ёмкостью (варикапа).
1.5. Испытание p-n переходов биполярного транзистора и снятие его выходных характеристик с помощью осциллографа.
1.6. Снятие статических характеристик транзистора на постоянном токе.
1.7. Выбор рабочей точки биполярного транзистора и ознакомление с режимами усиления переменного напряжения классов A, B, AB и D.
1.8. Снятие статических характеристик полевого транзистора с p-n переходом.
1.9. Снятие статических характеристик полевого транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом.
1.10. Экспериментальное определение основных характеристик тиристоров.
1.11. Экспериментальное определение основных характеристик и параметров оптопар.
2. Электронные цепи и микросхемотехника.
2.1. Сравнительное исследование одиночных усилительных каскадов на биполярных транзисторах.
2.2. Исследование усилительных каскадов на полевых транзисторах.
2.3. Исследование двухкаскадного транзисторного усилителя.
2.4. Исследование двухтактного усилителя мощности на биполярных транзисторах.
2.5. Исследование основных схем включения операционного усилителя.
2.6. Снятие частотных характеристик операционного усилителя.
2.7. Исследование схем суммирования, интегрирования и дифференцирования на операционном усилителе.
2.8. Экспериментальное определение характеристик RC-фильтров на операционном усилителе.
2.9. Исследование простейшего логарифмирующего преобразователя на операционном усилителе.
2.10. Исследование генератора синусоидальных колебаний на операционном усилителе.
2.11. Знакомство с принципом действия триггера Шмидта и релаксационных генераторов на операционном усилителе.
2.12. Знакомство с работой RS-триггера, мультивибратора и одновибратора на транзисторах.
2.13. Исследование аналоговых интегральных компараторов и цепей с ними.
3. Стабилизаторы и вторичные источники питания.
3.1. Исследование однополупериодной и мостовой схем выпрямления.
3.2. Исследование трёхфазной мостовой схемы выпрямления и сглаживающих фильтров.
3.3. Знакомство с принципом построения управляемых выпрямителей и тиристорных регуляторов с фазовым управлением.
3.4. Исследование компенсационных стабилизаторов напряжения и тока.
3.5. Испытание основных схем включения линейного интегрального стабилизатора напряжения.
3.6. Знакомство с принципом действия широтно-импульсного преобразователя постоянного напряжения.

А также ряд других базовых экспериментов помимо перечисленных выше.

За полным списком лабораторных работ и подробными техническими характеристиками (ТЗ) обращайтесь перед закупкой непосредственно к официальному заводу-изготовителю стендов марки ГалСен (ООО "ИПЦ "Учебная техника"), опасайтесь недобросовестных конкурентов, предлагающих в нарушение п. 2 ст. 14.6 ФЗ "О защите конкуренции" № 135 сходные до степени смешения с маркой ГалСен товары от кустарно-гаражных фирм-однодневок, неавторизованных поставщиков, посредников, и т.п..
Типовой комплект поставки модульного учебного лабораторного стенда ГалСен® ОАЭ2-С-Р включает в себя оригинальные сменные функциональные блоки зарегистрированного товарного знака ГалСен® и иные компоненты, перечень и описание которых предоставляется по запросу.

Запросить состав стенда (ТЗ)

Дополнительные преимущества сборно-разборных стендов ГалСен®:

  • Технология гибкой модульной сборки — легкая компоновка цепей из сменных блоков ГалСен® по интуитивно понятному принципу конструктора; перекрёстное использование модулей в разных стендах одной или нескольких ваших учебных лабораторий; повышенная отказоустойчивость стенда в целом и оперативный ремонт/замена.
  • Технология масштабирования и бесшовной модернизации — в отличие от монолитных (физически неразъёмных) учебных стендов-моноблоков прошлого поколения, возможна быстрая модернизация модульного стенда ГалСен® и расширение его возможностей путем простого добавления новых функциональных блоков (миниблоков, плат и т.п.) под новые задачи вашего лабораторного практикума.
Потребляемая мощность, В·А, не более
50
Электропитание:            -  от однофазной сети переменного тока     с рабочим нулевым и защитным проводниками     напряжением, В          - частота, Гц
   220 ± 2250 ± 0,5
Класс защиты от поражения электрическим током  
I
Габаритные размеры, мм, не более   - длина (по фронту)      - ширина (ортогонально фронту)        - высота    
 9108501250
Масса, кг, не более      
35
Количество человек, которое одновременно и активно может работать на комплекте         
 2



Типовой комплект поставки учебного лабораторного оборудования ГалСен® ОАЭ2-С-Р включает в себя следующее дидактическое обеспечение:

  1. Руководство по выполнению базовых экспериментов "Полупроводниковые приборы и основы микроэлектроники"
  2. Сборник руководств по эксплуатации компонентов аппаратной части комплекта ОАЭ2-С-Р
  3. Компакт-диск с методическим обеспечением комплекта ОАЭ2-С-Р