ЭМЦОЭ1-С-Р Стендовый ЭМЦОЭ1-С-Р Ручной
Стендовый Ручной
ЭМЦОЭ1-С-Р: 71базовый эксперимент ЭМЦОЭ1-С-Р: 2 рабочих места
71 работа Для 2 чел.
Запросить цену

ГАРАНТИЯ ДО 5 ЛЕТ

+ Постгарантийная поддержка от завода-изготовителя на весь срок службы стенда

ПРОЧНАЯ ЗАЩИТА

Стенд выдерживает неумелое обращение, перегрузки, короткие замыкания

БЫСТРЫЙ СТАРТ

Шаг за шагом от начала до конца опыта вас проведет подробное руководство

ГИБКОЕ РЕШЕНИЕ

Под ваши задачи расширим или сократим набор сменных модулей ГалСен®

Электрические и магнитные цепи

1.    Линейные электрические цепи постоянного тока.
1.1.    Измерение сопротивлений, токов, напряжений и мощности в цепи постоянного тока.
1.2.    Цепь постоянного тока с последовательным соединением резисторов.
1.3.    Параллельное соединение резисторов в цепи постоянного тока.
1.4.    Цепь постоянного тока при смешанном соединении резисторов.
1.5.    Передача мощности от активного двухполюсника к нагрузке.
2.    Электрические цепи переменного тока.
2.1.    Цепь синусоидального тока при последовательном соединении R, L и С.
2.2.    Частотные характеристики последовательного резонансного контура.
2.3.    Параллельное соединение катушки индуктивности и конденсатора.
2.4.    Частотные характеристики  параллельного резонансного контура.
2.5.    Определение параметров индуктивно связанных катушек.
2.6.    Расчёт и экспериментальное исследование цепи при несинусоидальном приложенном напряжении.
3.    Трехфазные цепи.
3.1.    Исследование трехфазной цепи при соединении нагрузки в звезду.
3.2.    Исследование трехфазной цепи при соединении нагрузки в треугольник.
3.3.    Аварийные режимы трёхфазной цепи  при соединении нагрузки в звезду.
3.4.    Аварийные режимы трёхфазной  цепи при соединении нагрузки в треугольник.
3.5.    Исследование фильтра напряжения обратной последовательности.
4.    Переходные процессы в линейных электрических цепях.
4.1.    Исследование процессов заряда и разряда конденсатора.
4.2.    Исследование процессов включения под напряжение и короткого замыкания катушки индуктивности.
4.3.    Исследование переходного процесса в разветвлённой цепи с конденсатором и резисторами.
4.4.    Процессы включения и отключения цепи с катушкой индуктивности.
4.5.    Переходные процессы в R-L-C контуре.
5.    Четырехполюсники.
5.1.    Определение параметров пассивного четырехполюсника.
5.2.    Снятие частотных характеристик четырёхполюсника  (фильтра низких частот).
5.3.    Исследование простейших дифференцирующих и интегрирующих четырёхполюсников.
6.    Однородная длинная линия.
6.1.    Исследование распределения напряжения вдоль однородной длинной линии.
6.2.    Исследование зависимости входных сопротивлений линии от её электрической длины и сопротивления нагрузки.
6.3.    Исследование отражения волн от конца длинной линии.
7.    Нелинейные электрические и магнитные цепи.
7.1.    Снятие вольтамперных характеристик нелинейных элементов на постоянном токе.
7.2.    Определение линеаризованных параметров эквивалентной схемы замещения биполярного транзистора.
7.3.    Экспериментальное исследование и расчёт магнитной цепи при постоянном токе.
7.4.    Исследование магнитной цепи на переменном токе.
7.5.    Исследование явления резонанса при последовательном соединении нелинейной катушки и конденсатора.
7.6.    Испытания однофазного трансформатора.
7.7.    Исследование однофазных выпрямителей.

Основы электроники.
Основы аналоговой электроники.

1.    Полупроводниковые приборы.
1.1.    Исследование характеристик полупроводниковых диодов на постоянном и переменном токах.
1.2.    Определение основных характеристик стабилитрона и исследование параметрического стабилизатора напряжения.
1.3.    Экспериментальное снятие вольтамперной характеристики светодиода.
1.4.    Исследование диода с переменной ёмкостью (варикапа).
1.5.    Испытание p-n переходов биполярного транзистора и снятие его выходных характеристик с помощью осциллографа.
1.6.    Снятие статических характеристик транзистора на постоянном токе.
1.7.    Выбор рабочей точки биполярного транзистора и ознакомление с режимами усиления переменного напряжения классов A, B, AB и D.
1.8.    Снятие статических характеристик полевого транзистора с p-n переходом.
1.9.    Снятие статических характеристик полевого транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом.
1.10.    Экспериментальное определение основных характеристик тиристоров.
1.11.    Экспериментальное определение основных характеристик и параметров оптопар.
2.    Электронные цепи и микросхемотехника.
2.1.    Сравнительное исследование одиночных усилительных каскадов на биполярных транзисторах.
2.2.    Исследование усилительных каскадов на полевых транзисторах.
2.3.    Исследование двухкаскадного транзисторного усилителя.
2.4.    Исследование двухтактного усилителя мощности на биполярных транзисторах.
2.5.    Исследование основных схем включения операционного усилителя.
2.6.    Снятие частотных характеристик операционного усилителя.
2.7.    Исследование схем суммирования, интегрирования и дифференцирования на операционном усилителе.
2.8.    Экспериментальное определение характеристик RC-фильтров на операционном усилителе.
2.9.    Исследование простейшего логарифмирующего преобразователя на операционном усилителе.
2.10.    Исследование генератора синусоидальных колебаний на операционном усилителе.
2.11.    Знакомство с принципом действия триггера Шмидта и релаксационных генераторов на операционном усилителе.
2.12.    Знакомство с работой RS-триггера, мультивибратора и одновибратора на транзисторах.
2.13.    Исследование аналоговых интегральных компараторов  и цепей с ними.
2.14.    Исследование аналогового таймера на интегральной микросхеме в автоколебательном и ждущем режимах.
2.15.    Исследование генератора напряжений специальной формы (функционального генератора) на интегральной микросхеме.
3.    Стабилизаторы и вторичные источники питания.
3.1.    Исследование однополупериодной и мостовой схем выпрямления.
3.2.    Исследование трёхфазной мостовой схемы выпрямления и сглаживающих фильтров.
3.3.    Знакомство с  принципом построения управляемых выпрямителей и тиристорных регуляторов с фазовым управлением.
3.4.    Исследование компенсационных стабилизаторов напряжения и тока.
3.5.    Испытание основных схем включения линейного интегрального стабилизатора напряжения.
3.6.    Знакомство с принципом действия широтно-импульсного преобразователя постоянного напряжения.
3.7.    Исследование интегрального импульсного преобразователя-стабилизатора напряжения с частотно-импульсной модуляцией.

Основы цифровой электроники.

1.    Тестирование базовых логических элементов (НЕ, И, ИЛИ, И-НЕ, ИЛИ-НЕ, исключающее ИЛИ, исключающее ИЛИ-НЕ).
2.    Сборка и тестирование простейших комбинационных узлов цифровых устройств.
2.1.    Комбинационный узел на основе базовых логических элементов для реализации произвольной логической функции.
2.2.     Комбинационные узлы на основе базовых логических элементов для экспериментального подтверждения законов алгебры логики.
3.    Сборка и тестирование последовательностных узлов цифровых устройств.
3.1.     Триггеры.
3.2.     Счетчики.
Типовой комплект поставки модульного учебного лабораторного стенда ГалСен® ЭМЦОЭ1-С-Р включает в себя оригинальные сменные функциональные блоки зарегистрированного товарного знака ГалСен® и иные компоненты, перечень и описание которых предоставляется по запросу.

Запросить состав стенда (ТЗ)

Дополнительные преимущества сборно-разборных стендов ГалСен®:

  • Технология гибкой модульной сборки — легкая компоновка цепей из сменных блоков ГалСен® по интуитивно понятному принципу конструктора; перекрёстное использование модулей в разных стендах одной или нескольких ваших учебных лабораторий; повышенная отказоустойчивость стенда в целом и оперативный ремонт/замена.
  • Технология масштабирования и бесшовной модернизации — в отличие от монолитных (физически неразъёмных) учебных стендов-моноблоков прошлого поколения, возможна быстрая модернизация модульного стенда ГалСен® и расширение его возможностей путем простого добавления новых функциональных блоков (миниблоков, плат и т.п.) под новые задачи вашего лабораторного практикума.

Потребляемая мощность, В·А, не более

 50
Электропитание: - и от однофазной сети переменного тока с рабочим нулевым и защитным проводниками напряжением, В

- частота, Гц

 220 ± 22 50 ± 0,5

Класс защиты от поражения электрическим током

I
Габаритные размеры, мм, не более - длина (по фронту) - ширина (ортогонально фронту)

- высота

910
850
1600

Масса, кг, не более

 60

Количество человек, которое одновременно и активно может работать на комплекте

2


Типовой комплект поставки учебного лабораторного оборудования ГалСен® ЭМЦОЭ1-С-Р включает в себя следующее дидактическое обеспечение:

  1. Руководство по выполнению базовых экспериментов «Основы цифровой техники»
  2. Руководство по выполнению базовых экспериментов "Электрические и магнитные цепи"
  3. Руководство по выполнению базовых экспериментов "Основы аналоговой электроники"
  4. Сборник руководств по эксплуатации компонентов аппаратной части комплекта ЭМЦОЭ1-С-Р
  5. Компакт-диск с методическим обеспечением комплекта ЭМЦОЭ1-С-Р